收藏本站
SQJ844EP
www.vishay.com
THERMAL RATINGS (T A = 25 °C, unless otherwise noted)
100
I DM Limited
Vishay Siliconix
10
Limited by R DS(on) *
I D Limited
1 ms
10 ms
100 ms, 1 s, 10 s, DC
1
0.1
T C = 25 °C
Single Pulse
B V DSS Limited
0.01
0.01
0.1 1 10 100
V D S - Drain-to- S ource Voltage (V)
* V GS > minimum V GS at which R D S (on) i s s pecified
Safe Operating Area
2
1
D u ty Cycle = 0.5
0.2
Notes:
t 1
0.1
0.1
0.05
0.02
Single P u lse
P DM
t 1
t 2
1. D u ty Cycle, D =
t 2
2. Per Unit Base = R thJA = 60 °C/W
3. T JM - T A = P DM Z thJA(t)
4. S u rface Mo u nted
0.01
10 - 4
10 - 3
10 - 2
10 - 1
1
10
100
600
Sq u are Wave P u lse D u ration (s)
Normalized Thermal Transient Impedance, Junction-to-Ambient
S11-2288-Rev. C, 28-Nov-11
5
Document Number: 65530
THIS DOCUMENT IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE. THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT
ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*
相关PDF资料
SQJ941EP-T1-GE3 MOSFET DUAL P-CH 30V PPAK 8SOIC
SQJ964EP-T1-GE3 MOSFET DUAL N-CH 60V PPAK 8SOIC
SQJ970EP-T1-GE3 MOSFET DUAL N-CH 40V PPAK 8SOIC
SQM110N04-02L-GE3 MOSFET N-CH D-S 40V TO263
SQM110N04-03L-GE3 MOSFET N-CH D-S 40V TO263
SQM110N06-04L-GE3 MOSFET N-CH D-S 60V TO263
SQM40N10-30-GE3 MOSFET N-CH D-S 100V TO263
SQM85N03-06P-GE3 MOSFET N-CH D-S 30V TO263
相关代理商/技术参数
SQJ848AEP 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:Automotive N-Channel 40 V (D-S) 175 ?°C MOSFET
SQJ848AEP-T1-GE3 制造商:Vishay Semiconductors 功能描述:MOSFETS - Tape and Reel 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:MOSFET N-CH D-S 40V PPAK 8SOIC 制造商:Vishay Intertechnologies 功能描述:N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET PPAK SO8L
SQJ848EP-T1-GE3 功能描述:MOSFET 40V 30A 68W N-Ch Automotive RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SQJ850EP 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:Automotive N-Channel 60 V (D-S) 175 ?°C MOSFET
SQJ850EP-T1-GE3 功能描述:MOSFET 60V 24A 45W N-Ch Automotive RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SQJ858AEP-T1-GE3 制造商:Vishay Semiconductors 功能描述:MOSFETS - Tape and Reel 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:MOSFET N-CH 40V 58A 8-SO 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:MOSFET N-CH 40V 58A PPAKSO 制造商:Vishay Intertechnologies 功能描述:N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET PPAK SO8L
SQJ886EP-T1-GE3 制造商:Vishay Semiconductors 功能描述:MOSFETS - Tape and Reel 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:MOSFET N-CH 40V 60A SO-8 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:MOSFET N-CH 40V 60A PPAKSO 制造商:Vishay Intertechnologies 功能描述:N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET PPAK SO8L
SQJ912AEP-T1-GE3 制造商:Vishay Semiconductors 功能描述:AUTOMOTIVE DUAL N-CHANNEL 40 V (D-S) 175 C MOSFET - Tape and Reel